IGBT 維修IGBT模塊
IGBT模塊，IGBT可控硅，IGBT驅動，IGBT技術資料
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
選擇

IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。
測量

靜態測量:把萬用表放在乘100檔，測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子，顯示電阻應為無窮大 表筆對調，顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法，測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子， 顯示電阻應為無窮大 表筆對調，顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個單元沒有明顯的故障.　動態測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔，用黑表筆接4端子，紅表筆接5端子，此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子， 此時電阻應為300-400毆，把表筆對調也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT，若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的。　將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極(S)和柵極(G)，這時IGBT 被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。　注意：若進第二次測量時，應短接一下源極(S)和柵極(G)。　任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。
IGBT的品牌有：
英飛凌，三菱，富士，東芝，三社，西門子，西門康，IXYS， eupec，等
■ IGBT模塊、IGBT單管、IGBT驅動
● 英飛凌（EUPEC）: IGBT功率模塊、單管IGBT、1單元、2單元、6單元（600V-6500V）
● 三 菱: IGBT模塊、PIM、焊機模塊（600V-2500V）
● 富 士: IGBT模塊、IPM、PIM（600V-3300V）
● 艾賽斯: 半橋、全橋、三相橋、整流橋（660V-1700V）。
IGBT的品牌有：
英飛凌，三菱，富士，東芝，三社，西門子，西門康，IXYS， eupec，等
■ IGBT模塊、IGBT單管、IGBT驅動
● 英飛凌（EUPEC）: IGBT功率模塊、單管IGBT、1單元、2單元、6單元（600V-6500V）
● 三 菱: IGBT模塊、PIM、焊機模塊（600V-2500V）
● 富 士: IGBT模塊、IPM、PIM（600V-3300V）
● 艾賽斯: 半橋、全橋、三相橋、整流橋（660V-1700V）
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。

深圳市安科半導體科技有限公司|||IGBT 維修IGBT模塊