產品介紹    氮化鋁就是由ⅢA族元素Al和ⅤA族元素N化合而成的半導體材料。分子式為AlN。室溫下禁帶寬度為6.42eV，屬直接躍遷型能帶結構。 產品屬性  (1)熱導率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；   
(2)熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；   
(3)各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優良；   
(4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結； 使用方法   請嚴格按照產品出廠說明書使用，如出現不能解決的問題及時撥打售后服務點電話。主要特點  (1)熱導率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；   
(2)熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；  
 (3)各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優良；   
(4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結；   
(5)純度高；   
(6)光傳輸特性好；  
 (7)無毒；   
(8)可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。功能用途   由于氮化鋁壓電效應的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。其他說明AlN是原子晶體，屬類金剛石氮化物，最高可穩定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。交易說明  歡迎廣大客戶來廠參觀、選購！