產(chǎn)品介紹       氮化鋁是由由ⅢA族元素Al和ⅤA族元素N化合而成的半導體材料分子式為AlN。室溫下禁帶寬度為6.42eV，屬直接躍遷型能帶結構。 產(chǎn)品屬性  (1)熱導率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；   (2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；   (3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良；   (4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結使用方法  有報告指現(xiàn)今大部分研究都在開發(fā)一種以半導體（氮化鎵或合金鋁氮化鎵）為基礎且運行於紫外線的發(fā)光二極管，而光的波長為250納米。在2006年5月有報告指一個無主要特點  。導熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料功能用途  由于氮化鋁壓電效應的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。其他說明  氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時免受離子的注入交易說明  歡迎廣大客戶來廠參觀、選購